产品名称：一套通用的微波测量架，用于测量L，S，C，X，Ku和Ka频率范围内的电子器件基础和微波材料的参数。

微波测量架功能图：
• 所需频率范围的探测微波信号发生器
• 带有测试配件（材料）的测量微波摄像机
• 在个人计算机上具有可视化功能的处理装置

工作原理：针对每个频率范围，开发了一个高质量的共振测量摄像头，可在安装了测试微波配件的情况下提供反射和透射率测量指数，误差不超过5％（如有必要，可通过增加相机自身的质量因数来减少误差）。根据此数据（以及带有标准配件的测试台的校准数据），处理单元能够在选定的频率范围内显示以下微波参数：微波元件的复阻抗，插入损耗，非线性失真程度的值以及微波材料的介电常数和介质损耗因数。当使用脉冲探测信号时，可以显示微波配件不同状态之间的切换时间（最高达ns单位）。提出的微波测量架可用于电子配件基础（微波变容二极管和压敏电阻，半导体，微机电微波键，微波晶体管和放大器）和微波材料（固体电介质）的开发和生产过程中，对输出参数的快速检测。

该设备允许在各种控制电压下，在微波范围（1 GHz，2 GHz等）的各种频率下，确定半导体和铁电变容二极管的微波损耗（质量因数-Q值）。质量因数的测量误差不超过5％，实际上与频率范围无关。测量精度是由于使用高质量因数（Q00≥2000）测量共振器以及谐振器与电容器控制电路之间的高隔离度（≥60dB）所致。

该设备允许在微波频率下测量电容值，误差不超过0.1％。测得的电容范围为0.1pF至10pF。

特性	数值
工作频率（控制信号）	f=(1-3) GHz
控制脉冲的时间范围	tp=1нс-分; Dc
控制脉冲幅度	Up=（0÷300）V; Up=（0÷5）kV
测定容量的额定值	C =（0.5÷20）pF
测量误差	ΔCerror < 0.1%

这些设备可以在亚纳秒的时间范围内以高精度（<1 fF）记录电容变化，从而可以确定变容二极管（铁电体和半导体）的速度。该器件还可在高达5 kV的脉冲电压的影响下确定线性陶瓷电容器中的剩余极化水平。

目前，还没有用于研究微机电配件的统一系统（包括传输系数测量仪，开关时间测量仪，控制电压供应装置和去耦电路）。已经开发出一种通用设备，该设备允许使用标准计量设备测量微波S参数和SPxT 微机电配件开/关时间。

SP4T 微机电配件在2.8 千兆赫的频率下的测试结果

接通状态下的插入损耗（|S21|，|S31|，|S41|，|S51|），dB	< 0.3
处于关闭状态的去耦 （|S21|，|S31|，|S41|，|S51|），dB	> 35
根据所选端口，启用状态中的匹配（S11, S22, S33, S44, S55）dB	< -30
在直流电接通模式下的通道电阻Ohm	< 2.5
接通电压，V	±100
接通电压，V	0
接通时间，微秒	2÷10
接通时间，微秒	< 1
开关功率，nJ；	< 1
控制频率为1 kHz时的平均功耗，	< 1