产品名称:一套通用的微波测量架,用于测量L,S,C,X,Ku和Ka频率范围内的电子器件基础和微波材料的参数。
工作原理:针对每个频率范围,开发了一个高质量的共振测量摄像头,可在安装了测试微波配件的情况下提供反射和透射率测量指数,误差不超过5%(如有必要,可通过增加相机自身的质量因数来减少误差)。根据此数据(以及带有标准配件的测试台的校准数据),处理单元能够在选定的频率范围内显示以下微波参数:微波元件的复阻抗,插入损耗,非线性失真程度的值以及微波材料的介电常数和介质损耗因数。当使用脉冲探测信号时,可以显示微波配件不同状态之间的切换时间(最高达ns单位)。提出的微波测量架可用于电子配件基础(微波变容二极管和压敏电阻,半导体,微机电微波键,微波晶体管和放大器)和微波材料(固体电介质)的开发和生产过程中,对输出参数的快速检测。
该设备允许在各种控制电压下,在微波范围(1 GHz,2 GHz等)的各种频率下,确定半导体和铁电变容二极管的微波损耗(质量因数-Q值)。质量因数的测量误差不超过5%,实际上与频率范围无关。测量精度是由于使用高质量因数(Q00≥2000)测量共振器以及谐振器与电容器控制电路之间的高隔离度(≥60dB)所致。
该设备允许在微波频率下测量电容值,误差不超过0.1%。测得的电容范围为0.1pF至10pF。
特性 | 数值 |
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工作频率(控制信号) | f=(1-3) GHz |
控制脉冲的时间范围 | tp=1нс-分; Dc |
控制脉冲幅度 | Up=(0÷300)V; Up=(0÷5)kV |
测定容量的额定值 | C =(0.5÷20)pF |
测量误差 | ΔCerror < 0.1% |
这些设备可以在亚纳秒的时间范围内以高精度(<1 fF)记录电容变化,从而可以确定变容二极管(铁电体和半导体)的速度。该器件还可在高达5 kV的脉冲电压的影响下确定线性陶瓷电容器中的剩余极化水平。
目前,还没有用于研究微机电配件的统一系统(包括传输系数测量仪,开关时间测量仪,控制电压供应装置和去耦电路)。已经开发出一种通用设备,该设备允许使用标准计量设备测量微波S参数和SPxT 微机电配件开/关时间。
接通状态下的插入损耗(|S21|,|S31|,|S41|,|S51|),dB | < 0.3 |
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处于关闭状态的去耦 (|S21|,|S31|,|S41|,|S51|),dB | > 35 |
根据所选端口,启用状态中的匹配(S11, S22, S33, S44, S55)dB | < -30 |
在直流电接通模式下的通道电阻Ohm | < 2.5 |
接通电压,V | ±100 |
接通电压,V | 0 |
接通时间,微秒 | 2÷10 |
接通时间,微秒 | < 1 |
开关功率,nJ; | < 1 |
控制频率为1 kHz时的平均功耗, | < 1 |