微波测量仪

产品名称:一套通用的微波测量架,用于测量L,S,C,X,Ku和Ka频率范围内的电子器件基础和微波材料的参数。

    微波测量架功能图:
  • 所需频率范围的探测微波信号发生器
  • 带有测试配件(材料)的测量微波摄像机
  • 在个人计算机上具有可视化功能的处理装置

工作原理:针对每个频率范围,开发了一个高质量的共振测量摄像头,可在安装了测试微波配件的情况下提供反射和透射率测量指数,误差不超过5%(如有必要,可通过增加相机自身的质量因数来减少误差)。根据此数据(以及带有标准配件的测试台的校准数据),处理单元能够在选定的频率范围内显示以下微波参数:微波元件的复阻抗,插入损耗,非线性失真程度的值以及微波材料的介电常数和介质损耗因数。当使用脉冲探测信号时,可以显示微波配件不同状态之间的切换时间(最高达ns单位)。提出的微波测量架可用于电子配件基础(微波变容二极管和压敏电阻,半导体,微机电微波键,微波晶体管和放大器)和微波材料(固体电介质)的开发和生产过程中,对输出参数的快速检测。

该设备允许在各种控制电压下,在微波范围(1 GHz,2 GHz等)的各种频率下,确定半导体和铁电变容二极管的微波损耗(质量因数-Q值)。质量因数的测量误差不超过5%,实际上与频率范围无关。测量精度是由于使用高质量因数(Q00≥2000)测量共振器以及谐振器与电容器控制电路之间的高隔离度(≥60dB)所致。

该设备允许在微波频率下测量电容值,误差不超过0.1%。测得的电容范围为0.1pF至10pF。

特性 数值
工作频率(控制信号) f=(1-3) GHz
控制脉冲的时间范围 tp=1нс-分; Dc
控制脉冲幅度 Up=(0÷300)V; Up=(0÷5)kV
测定容量的额定值 C =(0.5÷20)pF
测量误差 ΔCerror < 0.1%

这些设备可以在亚纳秒的时间范围内以高精度(<1 fF)记录电容变化,从而可以确定变容二极管(铁电体和半导体)的速度。该器件还可在高达5 kV的脉冲电压的影响下确定线性陶瓷电容器中的剩余极化水平。

目前,还没有用于研究微机电配件的统一系统(包括传输系数测量仪,开关时间测量仪,控制电压供应装置和去耦电路)。已经开发出一种通用设备,该设备允许使用标准计量设备测量微波S参数和SPxT 微机电配件开/关时间。

SP4T 微机电配件在2.8 千兆赫的频率下的测试结果

接通状态下的插入损耗(|S21|,|S31|,|S41|,|S51|),dB < 0.3
处于关闭状态的去耦 (|S21|,|S31|,|S41|,|S51|),dB > 35
根据所选端口,启用状态中的匹配(S11, S22, S33, S44, S55)dB < -30
在直流电接通模式下的通道电阻Ohm < 2.5
接通电压,V ±100
接通电压,V 0
接通时间,微秒 2÷10
接通时间,微秒 < 1
开关功率,nJ; < 1
控制频率为1 kHz时的平均功耗, < 1